[发明专利]球强度改进的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201210025465.3 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103094137A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 于宗源;陈宪伟;陈英儒;梁世纬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强度 改进 方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：
接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处；以及
修改所述球图案的区域中的球的布置方式，使得所述区域不包括孤立球。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述孤立球在同一列或同一行中不具有或者仅具有一个紧邻所述孤立球的相邻球。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述修改包括：将所述区域中的至少一个球移动到空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述修改包括：将球添加至所述区域中的空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
所添加的球是没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述修改包括：将没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球设置在所述区域中的每个空交叉点上。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述区域是所述球图案的全部区域。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述区域包括所述球图案的角部区域。
9.一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：
接收将形成为所述半导体器件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的一些而不是所有交叉点处；
在所述多个球中标识出至少一个孤立球，其中，所述孤立球在同一列或同一行中具有至多一个紧邻所述孤立球的相邻球；以及
通过将一个或多个球中的每一个添加至邻近所述孤立球的空交叉点来修改所述球图案，使得所述孤立球具有两个或更多相邻球。
10.一种具有改进的球强度的半导体器件，所述半导体器件包括：
芯片，具有有源表面；
多个连接球，位于所述有源表面上，并且与所述芯片电连接，所述连接球被布置在相互交叉的多列和多行中的一些但不是所有交叉点处；以及
多个伪球，位于所述有源表面上，但不与所述芯片电连接，所述伪球被布置在未布置所述连接球的交叉点处；
其中，至少位于所述芯片的角部区域中，每个所述连接球或每个所述伪球都具有至少两个相邻的连接球或伪球。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
