[发明专利]用于半导体器件的钝化层有效
| 申请号： | 201210020667.9 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102651346A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘人豪;倪其聪;林晓因;林崇民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本披露的实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：包括最顶层金属化层的多个金属化层。最顶层金属化层具有厚度为T1并且分开一间隙的两个金属部件。复合钝化层包括在氮化层之下的HDP CVD氧化层。复合钝化层设置在金属部件之上并且部分填充间隙。复合钝化层具有厚度T2，约为厚度T1的20％至50％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 钝化 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个金属化层，包括最顶层金属化层，所述最顶层金属化层具有被一间隙隔开的两个金属部件，每个金属部件均具有厚度T1；以及复合钝化层，包括在氮化层之下的高密度等离子体(HDP)化学汽相沉积(CVD)氧化层，所述复合钝化层设置在所述金属部件之上并且部分填充所述间隙，其中，所述复合钝化层具有厚度T2，所述厚度T2约为所述厚度T1的20％至50％。
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