[发明专利]具有降低的导通电阻的沟槽型功率 MOSFET有效
| 申请号： | 201210020055.X | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102623500A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·L·雷克塞尔;瑞图·索迪 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有降低的导通电阻的沟槽型功率MOSFET，具体来说，本发明提供了一种半导体器件，包括：漂移区；阱区，在漂移区上方延伸；有源沟槽，包括侧壁和底部，该有源沟槽延伸穿过阱区并进入漂移区，并且其侧壁和底部的至少部分内衬有电介质材料。器件进一步包括设置于有源沟槽内并通过电介质材料与有源沟槽的侧壁分离的屏蔽；栅极，设置于有源沟槽内第一屏蔽的上方并通过电极间电介质材料与第一屏蔽分离；以及源极区，形成于与有源沟槽相邻的阱区内。栅极通过电介质材料与有源沟槽的侧壁分离。屏蔽和栅极由具有不同功函数的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 通电 沟槽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移区；阱区，在所述漂移区的上方延伸并具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；有源沟槽，包括侧壁和底部，所述有源沟槽延伸穿过所述阱区并进入所述漂移区，并且所述有源沟槽的侧壁和底部的至少部分内衬有电介质材料；第一屏蔽，所述第一屏蔽设置于所述有源沟槽内并通过所述电介质材料与所述有源沟槽的侧壁分离；栅极，所述栅极设置于所述有源沟槽内所述第一屏蔽的上方并通过电极间电介质材料与所述第一屏蔽分离，所述栅极通过所述电介质材料与所述有源沟槽的侧壁分离；源极区，所述源极区形成在与所述有源沟槽相邻的所述阱区中并具有所述第一导电类型；其中，所述第一屏蔽和所述栅极由具有不同功函数的材料制成。
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