[发明专利]利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件有效
| 申请号： | 201210012497.X | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102544285A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨薇;胡晓东;若比邻;李磊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件。本发明的发光器件具有非均匀且非周期掺铝，Al的组分变化的电子阻挡层。本发明同时有效地解决了提高发光效率的两个关键问题，即减小空穴遂穿的势垒以及提高空穴的注入效率；另外，避免了传统结构在量子垒和电子阻挡层界面形成寄生电子反型层。而多层结构在阻挡电子的效果上更加明显，使得电子和空穴两种载流子在有源层各个量子阱之中的分布更加平衡和均匀，从而获得更加均匀的光增益。因此本发明的发光器件可以有效地克服寄生量子阱现象，具有更小的阈值电流。而且，波导结构上具有更高的光学限制因子而获得更强的发光强度，因此可以同时改善激光器的电学性质和光学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电子 阻挡 提高 发光 效率 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光器件，所述发光器件包括从衬底至上依次叠加的四个部分：多层结构的N型电子注入层(1)、有源层(2)、电子阻挡层(3)、及多层结构的P型空穴注入层(4)，其特征在于，所述电子阻挡层(3)非均匀且非周期掺铝Al，Al的组分从下至上变大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210012497.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
