[发明专利]利用电子阻挡层提高发光效率的氮化物发光器件

权利要求书

1.一种氮化物发光器件，所述发光器件包括从衬底至上依次叠加的四个部分：多层结构的N型电子注入层(1)、有源层(2)、电子阻挡层(3)、及多层结构的P型空穴注入层(4)，其特征在于，所述电子阻挡层(3)非均匀且非周期掺铝Al，Al的组分从下至上变大。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度在20nm～100nm之间。

3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层包括单层或多层的铝镓氮AlGaN。

4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层中Al的组分在0～0.35(原子数)之间。

5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层中Al的组分是渐变或突变。

6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层直接生长在有源层之上，或者代替有源层中最后一个量子垒开始生长。

7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层中掺杂为Mg、Zn及C等杂质中的一种或多种组合。

8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述氮化物发光器件包括氮化物激光器、氮化物发光二极管和超辐射二极管。

9.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述多层结构的N型电子注入层(1)包括N型接触层、N型包覆层和N型波导层；所述有源层(2)包括量子阱和量子垒；所述多层结构的P型空穴注入层(4)包括P型波导层、P型包覆层和P型接触层。

10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述接触层、包覆层和波导层分别是AlN、InN和GaN等二元系氮化物，AlGaN、InAlN和InGaN等三元系氮化物，以及AlInGaN等四元系氮化物中的一种。