[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 201210009800.0 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102629625A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 宫原真一朗;高谷秀史;杉本雅裕;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅半导体衬底(1)和沟槽(2)。所述碳化硅半导体衬底(1)具有相对于(0001)平面或(000-1)平面的偏移角并且具有沿<11-20>方向的偏移方向。所述沟槽(2)从所述碳化硅半导体衬底(1)的表面开始设置。所述沟槽(2)沿相对于偏移方向的内角为30度或-30度的方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅半导体衬底(1)，其具有相对于(0001)平面或(000‑1)平面的偏移角并且具有沿<11‑20>方向的偏移方向；以及沟槽(2)，从所述碳化硅半导体衬底(1)的表面开始设置，所述沟槽(2)沿相对于偏移方向的内角为30度或‑30度的方向延伸。
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