[发明专利]一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210009396.7 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102544104A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括漏极，外延层，埋层，源极，栅介质，栅极，源极金属层和漏极金属层。本发明隧穿晶体管能够提高器件在关态下的耐击穿能力，降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，提高器件散热能力，优化器件在大电流下的特性。本发明的制备方法在漏极之上制备低掺杂或本征的外延层，能够降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，其在靠近源极制备非重掺杂的p区以及靠近漏极制备非重掺杂的n区，能够提高器件在关态下的耐击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底及其上形成的漏极，所述漏极为重掺杂；外延层，所述外延层形成在所述漏极之上，在所述外延层内形成有隔离区；埋层，所述埋层形成于所述外延层内，所述埋层的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述埋层为轻掺杂；源极，所述源极形成于所述埋层内且暴露于所述外延层的上表面，所述源极的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述源极为重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成于所述外延层之上，所述栅极形成于所述栅介质之上；源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成于所述源极之上，所述漏极金属层形成于漏极之下。
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