[发明专利]一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底及其上形成的漏极，所述漏极为重掺杂；

外延层，所述外延层形成在所述漏极之上，在所述外延层内形成有隔离区；

埋层，所述埋层形成于所述外延层内，所述埋层的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述埋层为轻掺杂；

源极，所述源极形成于所述埋层内且暴露于所述外延层的上表面，所述源极的掺杂类型与所述漏极的掺杂类型相反，所述源极为重掺杂；

栅介质和栅极，所述栅介质形成于所述外延层之上，所述栅极形成于所述栅介质之上；

源极金属层和漏极金属层，所述源极金属层形成于所述源极之上，所述漏极金属层形成于漏极之下。

2.如权利要求1所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述外延层的材料为硅、锗硅、硅/锗硅多层复合结构、碳化硅或III-V族半导体材料。

3.如权利要求1或2所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述外延层为本征材料或者轻掺杂材料。

4.如权利要求1所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述隧穿晶体管的形状为多边形、圆形、线形和弧形组成的图形、或者不规则弧线组成的图形。

5.如权利要求1或4所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述隧穿晶体管的形状为菱形。

6.如权利要求1所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述栅介质层为功函数调谐层。

7.如权利要求1所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，在所述栅介质和栅极的侧壁上形成有隔离层。

8.如权利要求1所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述源极金属层和漏极金属层的材料为金属半导体合金。

9.如权利要求1或8所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述源极金属层和栅极之上形成有钝化层，所述钝化层上具有贯通至所述源极金属层和栅极的引线孔。

10.如权利要求9所述的耐高压的隧穿晶体管，其特征在于，所述钝化层之上形成有引线金属层，所述引线金属层通过引线孔与所述源极金属层和栅极连接。

11.一种耐高压的隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供衬底，在所述衬底上形成有重掺杂的漏极；

S2：在所述漏极上形成外延层；

S3：在所述外延层内形成隔离区；

S4：在所述外延层之上形成栅介质；

S5：在所述栅介质之上形成栅极；

S6：光刻、刻蚀、去胶，形成栅堆叠；

S7：光刻，在掩膜掩蔽的情况下进行离子注入，注入类型与漏极相反，并扩散，退火形成埋层，所述埋层为轻掺杂；

S8：光刻，在掩膜掩蔽的情况下进行离子注入，注入类型与漏极相反，并扩散，退火形成源极，所述源极为重掺杂；

S9：在源极之上形成源极金属层，在漏极之下形成漏极金属层。

12.如权利要求11所述的耐高压的隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S7和S8之后具有以下步骤：在栅堆叠侧壁上形成隔离层。

13.如权利要求11所述的耐高压的隧穿晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S9之后具有以下步骤：

S10：在所述源极金属层和栅极之上形成钝化层，然后光刻，刻蚀，在所述钝化层上形成贯通至所述源极金属层和栅极的引线孔；

S11：在所述钝化层之上形成引线金属层，所述引线金属层通过引线孔与所述源极金属层和栅极连接。