[发明专利]一种纳米材料电子与光电子器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210008553.2 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102544136A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 施毅;盛贇;王剑宇;孙华斌;潘力佳;王军转;濮林;王欣然;张荣;郑有炓 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种纳米材料电子与光电子器件,器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分,所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层,上下电极与纳米材料形成良好的电学接触,绝缘介电层在上下电极之间,保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工,形成有效的电极接触,实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺,可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
搜索关键词: 一种 纳米 材料 电子 光电子 器件 制备 方法
【主权项】:
一种纳米材料电子与光电子器件,其特征是器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分,所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层,上下电极与纳米材料形成良好的电学接触,绝缘介电层在上下电极之间,保证电荷通过上下电极流经纳米材料。
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