[发明专利]一种纳米材料电子与光电子器件及制备方法有效
申请号: | 201210008553.2 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102544136A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 施毅;盛贇;王剑宇;孙华斌;潘力佳;王军转;濮林;王欣然;张荣;郑有炓 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种纳米材料电子与光电子器件,器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分,所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层,上下电极与纳米材料形成良好的电学接触,绝缘介电层在上下电极之间,保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工,形成有效的电极接触,实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺,可实现纳米器件低成本、大批量的加工。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 材料 电子 光电子 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米材料电子与光电子器件,其特征是器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分,所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层,上下电极与纳米材料形成良好的电学接触,绝缘介电层在上下电极之间,保证电荷通过上下电极流经纳米材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学,未经南京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210008553.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:报文转发方法及网络设备
- 下一篇:以门禁为基础的节能装置及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的