[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明在原有晶体硅太阳能电池工艺和设备的基础上，通过丝网印刷、镀膜和清洗处理对电池受光面非电极区域选择性地覆盖阻隔层，使其在扩散时形成轻掺杂区，电极区域形成重掺杂区，再按常规晶体硅太阳能电池生产流程继续制备太阳能电池。本发明采用的方法简单高效、成本低廉，克服了传统选择性发射极晶体硅太阳能电池需要激光处理或二次高温扩散的缺陷，制备的电池效率高，大规模产业化简单。

主权项

一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，对电池受光面的电极区域进行重掺杂扩散，非电极区域进行轻掺杂扩散，其特征在于：在扩散前利用丝网印刷、镀膜和清洗处理，对电池受光面进行选择性的阻隔层制备，在高温扩散过程中一次性形成电极区重掺杂，非电极区轻掺杂。