[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，对电池受光面的电极区域进行重掺杂扩散，非电极区域进行轻掺杂扩散，其特征在于：在扩散前利用丝网印刷、镀膜和清洗处理，对电池受光面进行选择性的阻隔层制备，在高温扩散过程中一次性形成电极区重掺杂，非电极区轻掺杂。

2.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

a)硅片表面织构处理；

b)电池受光面第一次丝网印刷，将用于掩膜的浆料覆盖在硅片受光表面需要制作电极的区域；

c)在硅片上镀膜，覆盖电池受光面；

d)镀膜后的硅片进行清洗，去除电极区域覆盖的浆料及其上所镀薄膜；

e)扩散：一次性形成电极区重掺杂，非电极区轻掺杂；

f)按常规太阳能电池生产工艺继续生产，包括刻蚀、清洗、镀减反膜、丝网印刷、烧结。

3.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤b)所用的掩膜浆料，成分为无机物、有机物或无机有机混合物。

4.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤c)镀膜的实现方式包括磁控溅射、电子束蒸发、PECVD、PVD、sol-gel、旋涂法。

5.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤c)镀膜的材质包括α-SiN_x:H、Al₂O₃、SiO₂、非晶硅、微晶硅、TiO₂。

6.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤c)镀膜厚度在5nm-500um之间。

7.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤e)扩散工艺形成的方块电阻在20-400Ω，包括双面或单面扩散。

8.如权利要求2所述的一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：

步骤f)电池受光面第二次丝网印刷制备金属化电极时，使金属化电极与步骤b)第一次丝网印刷掩膜印刷图形重叠。