[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法无效
申请号: | 201210005715.7 | 申请日: | 2012-01-09 |
公开(公告)号: | CN102709378A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 黄惠东;陈永虹;赖江海;肖海东 | 申请(专利权)人: | 南安市三晶阳光电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41M1/12 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 362000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。具体而言,通过丝网印刷、镀膜和清洗处理,使电池受光面非电极区域选择性覆盖阻隔层,使其在扩散中形成轻掺杂区,电极区域形成重掺杂区。扩散后的硅片再衔接常规晶体硅太阳能电池制备工艺,制备晶体硅太阳能电池。
背景技术
晶体硅太阳电池占据了光伏行业大部分的市场份额,进一步提高效率,降低成本是国内外晶体硅太阳电池研究领域的基本目标。参见图1,现有的常规晶体硅太阳电池采用的是等同扩散的方法,整个电池受光面采用同一扩散方式,电极区域与非电极区域薄层方块电阻相同,一般在30-80Ω,以兼顾电极接触区掺杂不能过低和受光面掺杂不能过高的要求,这种折衷的掺杂方式能保持低成本,但极大地限制太阳电池效率的提高。
因此,制备选择性发射极晶体硅太阳电池具有重大意义,它可以实现在电池正表面电极下面重掺杂,而正表面非电极部分(受光部分)轻掺杂。从而使与金属电极接触的区域扩散浓度很高,接触电阻很小;而非电极的受光区域扩散浓度较低,避免了由于发射区俄歇复合造成的电池电流的下降,这样可有效提高晶体硅太阳电池的性能。
目前国内外厂家经过多年研究,已存在多种能够制备选择性发射极太阳能电池的方法。例如,中电光伏的赵建华等人,在热氧生长后的硅片上开槽制备选择性发射极电池,采用该技术手段的硅片必须经过两次高温,对硅片自身损伤较大,开槽所用的化学浆料为氟化氢铵,属于强酸性且易挥发的化学,在大规模产业化中对环境和员工健康有大的潜在危害。国外Centrotherm公司在采用激光在热氧生长后的硅片上激光开槽,同样会对硅片造成二次损伤,且激光设备价格较为昂贵,非绝大多数企业能接受。Roth&Rau公司采用激光对表面涂覆磷源的轻扩散硅片进行二次扩散,其缺点在于激光容易造成硅片表面的晶格损伤,造成二次扩散区域复合大,限制电流的提高幅度。杜邦公司开发出了硅墨水浆料,采用丝网印刷技术制备选择性发射极电池,由于硅墨水技术现为其独有专利,其次, 硅墨水的价格较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,克服现有的选择性发射极的技术缺陷,提供新型的选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法。
本发明的技术方案为:
一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法,对电池受光面的电极区域进行重掺杂扩散,非电极区域进行轻掺杂扩散,其特征在于:在扩散前利用丝网印刷、镀膜和清洗处理,对电池受光面进行选择性的阻隔层制备,在高温扩散过程中一次性形成电极区重掺杂,非电极区轻掺杂。
具体地,前述的制备方法,包括如下步骤:
a)硅片表面织构处理;
b)电池受光面第一次丝网印刷,将用于掩膜的浆料覆盖在硅片受光表面需要制作电极的区域;
c)在硅片上镀膜,覆盖电池受光面;
d)镀膜后的硅片进行清洗,去除电极区域覆盖的浆料及其上所镀薄膜;
e)扩散:一次性形成电极区重掺杂,非电极区轻掺杂;
f)按常规太阳能电池生产工艺继续生产,刻蚀、清洗、镀减反膜、丝网印刷、烧结。
其中步骤b)所述的掩膜浆料,成分可为有机物、无机物或有机与无机混合物,其能满足丝网印刷的需求即可。该掩膜浆料主要是起过渡作用,通过丝网印刷方式印刷到硅片上,再镀膜,之后,该浆料和上面的镀膜一起被清洗除去。
其中,有机物包括但不限于:乙基纤维素、卵磷脂、邻苯二甲酸二丁酯等;高分子聚合物粉体,如环氧树脂、聚胺酯丙烯酸脂、环氧丙烯酸脂等。无机物包括但不限于:金属粉(如银粉)、合金粉(如银锌、锡、硅、铜、镁、金、铝等金属中的两种或两种以上形成的合金)、玻璃粉末、金属氧化物粉(如过渡金属氧化物、二氧化锡、氧化锌等)中的一种或混合物。
有机与无机物混合物例如:前述的金属粉、玻璃粉、合金粉、金属氧化物粉等与有机 载体的混合物,有机载体例如乙基纤维素、松油醇、甘油、无水乙醇中的至少一种;或聚合物和有机溶剂混合溶解而成,聚合物例如乙基纤维素、硝酸纤维素、酚醛树脂、环氧树脂、聚氨脂树脂,丙烯酸树脂中的一种或混合物;溶剂如前述的松油醇、松节油、甘油、无水乙醇、丙二醇丁醚、柠檬酸三乙酯、柠檬酸三丁酯、卵磷脂等中的一种或混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的