[发明专利]一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210005002.0 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103193484A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李庆刚;董绍明;王震;周海军;何平;胡建宝;丁玉生;张翔宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，所述方法是一种原位反应法，即，首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中，球磨使混合均匀；然后干燥除去有机溶剂，制得先驱体粉末；再将先驱体粉末在800～1000℃进行裂解处理；裂解处理后，再在惰性气氛下，于1500～1800℃进行热处理。本发明提供的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法，具有操作简单，成本低，可规模化实施及可任意调节其中两相比例等优点，有助于实现ZrC-SiC复相陶瓷材料在超高温领域的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zrc sic 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZrC‑SiC复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：是一种原位反应法，即，首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中，球磨使混合均匀；然后干燥除去有机溶剂，制得先驱体粉末；再将先驱体粉末在800～1000℃进行裂解处理；裂解处理后，再在惰性气氛下，于1500～1800℃进行热处理。
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