[发明专利]一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210005002.0 申请日: 2012-01-09
公开(公告)号: CN103193484A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 李庆刚;董绍明;王震;周海军;何平;胡建宝;丁玉生;张翔宇 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 zrc sic 陶瓷材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种复相陶瓷材料的制备方法,具体说,是涉及一种含有ZrC和SiC两物相的复相陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料技术领域。

背景技术

随着航天技术的发展,尤其是伴随着高超声速飞行器的提出,航天飞行速度得到了大幅度的提高。由于飞行器在服役过程中将承受巨大的启动加热,飞行器表面温度达到2000℃以上。因此寻求能够在2200~3000℃高温环境中稳定工作的耐超高温材料成为研究的目标。

超高温陶瓷(Ultra-high-temperature ceramics,UHTCs)是指由一些过渡金属的硼化物及碳化物组成的多元复合陶瓷体系,如HfB2、HfC、ZrB2、ZrC等。这些材料的熔点超过3000℃,有良好的热化学稳定性,高的导热、导电性能并且在1600℃以上具有优异的抗氧化性。

碳化锆(ZrC)具有高熔点、高模量、高硬度、高的热导率和电导率,无相变和良好的抗热震性能,成为高温结构应用的潜在候选材料。相比ZrC来说,碳化硅(SiC)作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、模量高、高温性能优异等优点,同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜,能够避免氧化性气体与复合材料直接接触,从而达到提高复合材料抗氧化性能的目的。研究表明:含有ZrC和SiC两物相的复相陶瓷材料既具有ZrC又具有SiC的双重性能优点,可望在超高温领域得到广泛应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种操作简单、可规模化实施的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法,以实现ZrC-SiC复相陶瓷材料在超高温领域的广泛应用。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

一种ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法,是一种原位反应法,即:首先将酚醛树脂、锆粉、硅粉加入有机溶剂中,球磨使混合均匀;然后干燥除去有机溶剂,制得先驱体粉末;再将先驱体粉末在800~1000℃进行裂解处理;裂解处理后,再在惰性气氛下,于1500~1800℃进行热处理。

所述的有机溶剂优选为乙醇。

所述的干燥优选为真空干燥。

所述的裂解处理时间优选为20~40分钟。

所述的惰性气氛优选为氩气氛。

所述的热处理时间优选为0.5~2小时。

与现有技术相比,本发明提供的ZrC-SiC复相陶瓷材料的制备方法,具有操作简单,成本低,可规模化实施及可任意调节其中两相比例等优点,有助于实现ZrC-SiC复相陶瓷材料在超高温领域的广泛应用。

附图说明

图1为实施例1制得的ZrC-SiC复相陶瓷材料的XRD谱图;

图2为实施例1制得的ZrC-SiC复相陶瓷材料的SEM照片。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细、完整地说明。

实施例1

将10g锆粉、0.77g硅粉和5g酚醛树脂加入100ml乙醇中,球磨使混合均匀;在100℃真空干燥12小时,以除去乙醇,得到先驱体粉末;将先驱体粉末放在石墨坩埚中于900℃进行裂解处理30min;裂解处理后,再在Ar气氛中,于1500℃进行热处理2小时,热处理结束,即得所述的碳化锆-碳化硅复相陶瓷材料。

所制备的复相陶瓷材料中含ZrC的理论值为83.3vol%。

图1为本实施例制得的复相陶瓷材料的XRD谱图,由图1可见:所制备的复相陶瓷材料中含有ZrC和SiC两种物相。

图2为本实施例制得的ZrC-SiC复相陶瓷材料的SEM照片,由图2可见:所制备的ZrC-SiC复相陶瓷材料为纳米粉体,平均粒径在50~200nm,且纳米颗粒分散较均匀。

实施例2

将10g锆粉、1.26g硅粉和5.6g酚醛树脂加入100ml乙醇中,球磨使混合均匀;在100℃真空干燥12小时,以除去乙醇,得到先驱体粉末;将先驱体粉末放在石墨坩埚中于800℃进行裂解处理40min;裂解处理后,再在Ar气氛中,于1800℃进行热处理0.5小时,热处理结束,即得所述的碳化锆-碳化硅复相陶瓷材料。

所制备的复相陶瓷材料中含ZrC的理论值为75vol%。

实施例3

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