[发明专利]一种h-BN/ZrC可加工陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201210535596.6 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102976761A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 唐竹兴 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/583 | 分类号： | C04B35/583;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种h-BN/ZrC可加工陶瓷的制备方法，其特征在于，采用h-BN包覆ZrC陶瓷粉体经冷等静压成型后热压烧成h-BN/ZrC可加工陶瓷，将硼酸∶尿素按比例与乙醇混合在密闭容器中制成酯化溶液，然后将ZrC陶瓷粉体加入到酯化溶液中制成陶瓷浆料，通过喷雾造粒机将上述陶瓷浆料制成包覆ZrC粉体，将上述包覆ZrC粉体氮化获得h-BN包覆ZrC陶瓷粉体，将h-BN包覆ZrC陶瓷粉体经等静压压制成片状坯体，在氮气气氛下热压.烧制成h-BN/ZrC可加工陶瓷。本发明制备的可加工陶瓷h-BN相分布均匀、含量可控，可加工性能、力学性能和热学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bn zrc 可加工 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种h-BN/ZrC可加工陶瓷的制备方法，其特征在于：采用h-BN包覆ZrC陶瓷粉体经冷等静压成型后热压烧成制备h-BN/ZrC可加工陶瓷，具体方法包括以下步骤：第一步：将硼酸：尿素以重量比为2：1的比例均匀混合，外加30~60%乙醇在密闭容器中50~90℃加热处理10~24小时后再搅拌10~30分钟制成酯化溶液；第二步：将粒度为0.1~2μm的ZrC陶瓷粉体40~70%加入到30~60%的上述酯化溶液中球磨制成陶瓷浆料，然后通过喷雾造粒机将上述陶瓷浆料制成直径为0.01~0.5mm的包覆ZrC粉体，将上述包覆ZrC粉体在温度为600~1000℃×30~60分钟氮气气氛氮化获得h-BN包覆ZrC陶瓷粉体，将h-BN包覆ZrC陶瓷粉体在100~200MPa.的压力下经冷等静压制成60×10~20mm片状坯体，然后在1700~1850℃×30~180分钟氮气气氛下热压5~100MPa.烧制成h-BN/ZrC可加工陶瓷。
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- 本发明公开了一种基于瓜尔胶凝胶注模成型氮化硼素坯的制备方法，其特征在于，采用异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯对氮化硼粉体进行预处理，得到预处理氮化硼粉体；采用去离子水、瓜尔胶、正丁醇和马来酸配制凝胶溶液；然后，在球磨机中，按体积百分比加入，预处理氮化硼粉体：50%~55%，凝胶溶液：40%~44%，氟硼酸铵：2%~5%，研磨8~10h，再加入质量分数为25%戊二醛：2%~5%，各组分之和为百分之百，研磨20min，超声除泡处理，得到氮化硼浆料；将氮化硼浆料注入模具中，缓慢加热，温度至30±2℃恒温36~40 h，自然冷却后，经干燥，脱模，得到氮化硼素坯。该方法制备的氮化硼素坯具有固含量高，有机物含量低，环保，烧结后所得的氮化硼陶瓷致密度高。
- 氮化硼复相陶瓷的过渡相辅助低温烧结方法-201510689599.9
- 王玉金;陈磊;张馨予;贾德昌;周玉 - 哈尔滨工业大学
- 2015-10-21 - 2018-06-26 - C04B35/583
- 氮化硼复相陶瓷的过渡相辅助低温烧结方法，它涉及一种氮化硼复相陶瓷的烧结方法。本发明是为了解决现有氮化硼复相陶瓷烧结温度高，制备得到的复相陶瓷晶粒粗大和力学性能差的问题。本方法如下：一、制备复合烧结助剂粉末；二、制备复合粉末；三、将复合粉末在真空或惰性气氛条件下，升温，加压，再降温，即得氮化硼复相陶瓷；本发明制备氮化硼复相陶瓷致密度可达到95％以上，材料晶粒细小，并具有优异的综合力学性能。本发明属于氮化硼复相陶瓷的制备领域。
- 薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的制备方法-201510689600.8
- 王玉金;陈磊;霍思嘉;贾德昌;周玉 - 哈尔滨工业大学
- 2015-10-21 - 2018-06-26 - C04B35/583
- 薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的制备方法，它涉及一种封板材料及其制备方法。本发明是为了解决氮化硼基复相陶瓷侧封材料烧结温度高和低熔点烧结助剂导致侧封材料服役性能下降的技术问题。材料由氮化硼、电熔氧化锆、碳化硅和添加剂制成。方法：一、称取原料；二、将制备复合粉末；三、制备氮化硼复合粉末；四、氮化硼基陶瓷侧封板材料预制坯体的制备；五、薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的制备。本发明所制备的薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的致密度可达到97％以上，具有优异的综合力学性能，其抗弯强度值可达到420MPa。本发明属于陶瓷侧封板材料的制备领域。
- 一种稀土改性陶瓷结合剂及制造立方氮化硼磨具的方法-201810177196.X
- 左桂鸿;黄海亮;王丹;郑友进;其他发明人请求不公开姓名 - 牡丹江师范学院
- 2018-03-04 - 2018-06-19 - C04B35/583
- 本发明提供一种用于制造立方氮化硼（以下简称CBN）磨具的稀土改性陶瓷结合剂，以及应用该结合剂制造CBN磨具的方法；所述稀土改性陶瓷结合剂，其成分组成按重量百分比为：硼玻璃60～72%、陶土12～15%、长石3～6%、滑石5～10%、硅石5～10%，碳酸钙粉0.5～0.8%，稀土氧化物为0.2～0.5%；应用所述稀土改性陶瓷结合剂制造CBN磨具，解决了由于烧结温度过使制备得到的陶瓷结合剂CBN磨具难以满足加工高硬度难加工材料的实际生产需求的问题，实现了陶瓷结合剂CBN磨具的低温烧结，充分发挥出了CBN磨料优异的性能优势，推动陶瓷结合剂CBN磨具在高硬度难加工材料的磨削加工领域更加广泛的推广和应用。
- 高温氮化气流场控制装置及其控制方法-201610442147.5
- 邵长伟;王军;王浩;王小宙 - 中国人民解放军国防科学技术大学
- 2016-06-20 - 2018-06-05 - C04B35/583
- 本发明提供一种高温氮化气流场控制装置及其控制方法，包括：用于驱动炉体内气体流动的叶轮、用于通入氨气的第一进气口和用于通入驱动叶轮转动的动力气体的第二进气口，第一进气口设置于叶轮的下方，第二进气口设置于叶轮的斜上方；动力气体为氩气。本发明提供高温氮化气流场控制装置，该装置在炉门内壁上设置由氩气驱动的叶轮，一方面利用叶轮的转动混匀炉内的氨气和氩气，同时所通入的氩气还能作为高纯氨气的稀释气体来调整炉内氨气的浓度。
- 光学镀膜材料及其制作方法-201711399300.1
- 秦海波 - 北京富兴凯永兴光电技术有限公司
- 2017-12-22 - 2018-06-01 - C04B35/583
- 本发明提供了一种光学镀膜材料及其制作方法，光学镀膜材料由如下重量百分比的各组分组成：氮化硼：50‑100％，其它氮化物：0‑50％，其它氮化物包括：Si3N4、Ti3N2和Zr3N4。上述制作方法包括：选取氮化硼和其它氮化物的混合物，混合物中按照重量百分比氮化硼占50‑100％，其它氮化物占0‑50％；将混合物制成颗粒状、片状或者板状后，将混合物在空气或真空或氮气或者氢气保护下进行烧结，烧结温度为800‑2000℃，生成一定强度的片状、颗粒状或板材状的光学镀膜材料。本发明的光学镀膜材料通过镀膜在刀具刀口等器具上，可以实现刀具刀口不粘胶，从而可以增加刀具的使用寿命，减少刀具的更换频率，降低企业的成本。
- 一种塞隆‑BN复相陶瓷材料及其制备方法、应用-201710708497.6
- 刘孟;宋仪杰;韩斌;刘继雄;徐国涛;陈华圣 - 武汉钢铁有限公司
- 2017-08-17 - 2018-02-13 - C04B35/583
- 本发明提供了一种塞隆‑BN复相陶瓷材料及其制备方法、应用，所述塞隆‑BN复相陶瓷材料由包括以下成分的原料制成，按质量百分数计，所述成分为h‑BN粉20～50％，Si3N4粉20～50％、AlN和TiN粉10～35％，Al2O3粉5～15％，稀土氧化物0.5～5％。采用上述塞隆‑BN复相陶瓷材料制得的薄带铸轧用侧封板等构件的强度高、抗热震性好以及抗熔钢侵蚀性能好。
- 高纯高致密氧化锆氮化硼复合陶瓷绝缘件及其制备方法-201710144944.X
- 不公告发明人 - 南京云启金锐新材料有限公司
- 2017-03-13 - 2017-07-07 - C04B35/583
- 本发明提供一种高纯钇稳定氧化锆与高纯氮化硼复合的绝缘陶瓷制备方法，采用纳米级钇稳定氧化锆粉与纳米级氮化硼粉用高能球磨的办法对粉末进行混合，然后通过离心喷雾造粒的方法进行造粒，通过冷等静压压制成型，最后通过热等静压烧结的方法制成。本发明具有高致密高强度绝缘性好的优点，本发明不仅工艺和设备简单，成本低，收率高，能耗低，生产效率高，适合工业化生产，而且能够获得质量稳定、晶粒细小可控的氧化锆氮化硼复合陶瓷绝缘件，本发明过程无坏境污染，是一种新型的低成本、质量稳定的高纯高致密氧化锆氮化硼复合陶瓷绝缘件的制备方法。
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