[发明专利]屏蔽层制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽层制造方法，能以多种真空溅镀法在单颗IC芯片上制造屏蔽层，其包含下列步骤：以遮蔽治具遮蔽若干个IC芯片，并将其固定于工件架上；将腔室抽真空至一预处理真空度；当腔室的真空度到达工作真空度时，持续通入可电浆化的气体，并对若干个IC芯片的表面的封装材料进行离子轰击，使封装材料上产生碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在碳悬键衔接层上依序形成一第一镀膜层、一第二镀膜层、一第三镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的若干个IC芯片。本发明可在同一设备中执行离子轰击、偏压、直流溅镀、中频溅镀及多弧离子镀等PVD制程，且利用PVD制程可使镀上的膜层更具有附着力。

主权项

一种屏蔽层制造方法，其包含下列步骤：以一遮蔽治具遮蔽若干个集成电路芯片，并将其固定于一工件架上；将一腔室抽真空至一预处理真空度；当所述腔室的真空度达到一工作真空度时，持续通入一可电浆化的气体，并对所述若干个集成电路芯片的表面的一封装材料进行离子轰击，使所述封装材料的表面形成一碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在所述碳悬键衔接层上形成一第一镀膜层及一第二镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的所述若干个集成电路芯片。