[发明专利]屏蔽层制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种屏蔽层制造方法，特别是涉及一种能够以真空溅镀法在单颗IC芯片上制造屏蔽层的方法。

背景技术

随着科技的进步，电子产品愈来愈小型化，但其功能却是愈来愈强大。因此电子产品内部的集成电路(Integrated Circuit，IC)复杂度及密度日渐升高，其内部的传输导线及电源等部份，或电路板上其它具有较高的工作频率的电子组件都会对外发出电磁波，如此很容易与其它组件产生电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)的情况，使得电路无法正常运作。因此，如何克服电磁干扰对电路的影响已经成为一个重要的议题。

一般来说，传统的电路板中常看到以金属外壳包覆住电路板的一部分，藉以保护电路板不受电磁干扰的影响。如图1所示，金属外壳11包覆住电路板1的IC芯片12，以解决电磁干扰的问题，但由于金属外壳11需要独立的制作程序，且需要额外的人工将其组成于电路板1上，成本十分高昂。另外，金属外壳1常以焊接或其它方式固定于电路板1上，如此则增大了电路板1的尺寸，如IC芯片12需要维修或替换时，需要拆装金属外壳11，十分不便且容易造成电路板1损坏。而散热方面也是一个很大的问题。

请参看图2，其为另外一种常见的IC屏蔽层，此方式为在一有若干个IC芯片22的电路板2上形成一屏蔽层21。此方式需要于电路板2的制造过程中加入制作屏蔽层21的程序，已破坏了原本的制作程序，使用上十分不便。且此方式只能一次在若干个IC芯片上形成屏蔽层，再切割成单颗IC芯片使用，无法直接在单颗IC芯片上形成屏蔽层，弹性上也有其限制。因此，如何改善已知技术中，IC金属外壳的笨重、成本高昂、散热不佳等问题及已知技术中，于若干IC芯片上形成屏蔽层的使用不便及弹性不佳等问题即为本发明所欲解决的问题。

发明内容

有鉴于上述已知技术的不足点，本发明的目的在于提供一种屏蔽层制造方法，以解决已知技术中IC金属外壳的笨重、成本高昂、散热不佳等问题及已知技术中，于若干IC芯片上形成屏蔽层使用不便及弹性不佳等问题。

根据本发明的目的，提出一种屏蔽层制造方法，其包含下列步骤：以一遮蔽治具遮蔽若干个集成电路(IC)芯片，并将其固定于一工件架上；将一腔室抽真空至一预处理真空度；当该腔室的真空度达到一工作真空度时，持续通入一可电浆化的气体，并对该若干个IC芯片的表面的一封装材料进行离子轰击，使该封装材料的表面形成一碳悬键衔接层；以若干种真空溅镀法在该碳悬键衔接层上形成一第一镀膜层及一第二镀膜层；以及破真空，取出完成镀膜的该若干个IC芯片。

其中，该若干种真空镀膜法包含中频溅镀、直流溅镀或多弧离子镀。

其中，该第一镀膜层为一金属衔接层，其以中频溅镀或多弧离子镀形成。

其中，该第二镀膜层为一金属屏蔽层，其以中频溅镀或多弧离子镀形成。

其中，该金属屏蔽层还可以交替使用中频溅镀及多弧离子镀以一混合镀法形成。

其中，该混合镀法包含金属与非金属混镀、不同颗粒大小的同种金属混镀及两种金属混镀。

其中，还包含下列步骤：以该若干种真空溅镀法形成一第三镀膜层于该第二镀膜层之上。该第三镀膜层为一抗氧化层，其以直流溅镀或中频溅镀形成。

其中，该可电浆化的气体为氩气。

其中，该预处理真空度为1×10^-5托耳(Torr)。

其中，该工作真空度为1×10^-3～10^-4Torr。

承上所述，依本发明的屏蔽层制造方法，其可具有一或多个下述优点：

(1)此屏蔽层制造方法是直接在IC芯片上形成屏蔽层，因此没有已知技术中IC金属外壳的笨重、成本高昂、散热不佳等问题。

(2)此屏蔽层制造方法是直接在IC芯片上形成屏蔽层，因此不需要像已知技术中，于若干IC芯片上形成屏蔽层时，需要于电路板的制造过程中加入制作屏蔽层的程序，因此其使用方便且弹性较佳。

(3)此屏蔽层制造方法不需要像已知技术中，于一块包含有若干IC芯片的电路板上形成屏蔽层时，需使用一“预切割”的程序，因此较为简易。

(4)此屏蔽层制造方法可以在IC芯片表面一次形成EMI屏蔽层与保护层等具不同功效的膜层。

(5)此屏蔽层制造方法可在同一设备中执行离子轰击、偏压、直流溅镀、中频溅镀及多弧离子镀等PVD制程，且利用PVD制程可使镀上的膜层更具有附着力。

附图说明

图1为已知技术的IC金属外壳的示意图；