[发明专利]屏蔽层制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽层制造方法，其包含下列步骤：

以一遮蔽治具遮蔽若干个集成电路芯片，并将其固定于一工件架上；

将一腔室抽真空至一预处理真空度；

当所述腔室的真空度达到一工作真空度时，持续通入一可电浆化的气体，并对所述若干个集成电路芯片的表面的一封装材料进行离子轰击，使所述封装材料的表面形成一碳悬键衔接层；

以若干种真空溅镀法在所述碳悬键衔接层上形成一第一镀膜层及一第二镀膜层；以及

破真空，取出完成镀膜的所述若干个集成电路芯片。

2.如权利要求1所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述若干种真空镀膜法包含一中频溅镀、一直流溅镀或一多弧离子镀。

3.如权利要求2所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述第一镀膜层为一金属衔接层，其以所述中频溅镀或所述多弧离子镀形成。

4.如权利要求2所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述第二镀膜层为一金属屏蔽层，其以所述中频溅镀或所述多弧离子镀形成。

5.如权利要求4所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述金属屏蔽层交替使用所述中频溅镀及所述多弧离子镀以一混合镀法形成。

6.如权利要求5所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述混合镀法包含一金属混镀与一非金属混镀、不同颗粒大小的同种金属混渡及两种金属混镀。

7.如权利要求2所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：还包含下列步骤：以所述若干种真空溅镀法形成一第三镀膜层于所述第二镀膜层之上。

8.如权利要求7所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述第三镀膜层为一抗氧化层，其以所述直流溅镀或所述中频溅镀形成。

9.如权利要求1所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述可电浆化的气体为一氩气。

10.如权利要求1所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述预处理真空度为1×10^-5托耳。

11.如权利要求1所述的屏蔽层制造方法，其特征在于：所述工作真空度为1×10^-3～10^-4托耳。