[发明专利]一种气体分配器及原子层沉积设备有效
申请号: | 201210001944.1 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN103194736A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及原子层沉积设备技术领域,具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。所述气体分配器,包括进气管道、过渡管道和配气盘,所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口,所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接,所述配气盘上有出气孔,所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。本发明能够实现前躯体完整地覆盖样品表面,而且由于气体具有水平方向的分速度,使覆盖整个基片变得更为快速,很好地提高薄膜均匀性,有效地降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 分配器 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种气体分配器,包括进气管道、过渡管道和配气盘,所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口,所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接,所述配气盘上有出气孔,所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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