[发明专利]高效发光二极管有效
| 申请号： | 201180063314.0 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103283045A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 尹俊皓;南基范;李俊熙;金彰渊;柳泓在;洪性勋 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩素云 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 这里公开了一种高效发光二极管。所述发光二极管包括：半导体堆叠，位于支撑基底上方；反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间。此外，n型化合物半导体层包括n型接触层，n型接触层具有5×1018/cm3至7×1018/cm3的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：支撑基底；半导体堆叠，位于支撑基底上方，并且包括p型化合物半导体层、活性层和n型化合物半导体层；反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；以及上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间，其中，n型化合物半导体层包括n型接触层，n型接触层具有5×1018/cm3至7×1018/cm3的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。
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