[发明专利]高效发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

支撑基底；

半导体堆叠，位于支撑基底上方，并且包括p型化合物半导体层、活性层和n型化合物半导体层；

反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；

第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；

电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；以及

上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间，

其中，n型化合物半导体层包括n型接触层，

n型接触层具有5×10¹⁸/cm³至7×10¹⁸/cm³的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，n型化合物半导体层还包括设置在n型接触层和活性层之间的超晶格层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，超晶格层具有其中InGaN层和GaN层交替地堆叠的结构。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，超晶格层的电阻率大于n型接触层的电阻率。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括中间绝缘层，中间绝缘层接触在反射金属层的凹槽中暴露的半导体堆叠的表面。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，所述发光二极管还包括阻挡金属层，阻挡金属层位于反射金属层和支撑基底之间以覆盖反射金属层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，反射金属层由多个板形成。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，半导体堆叠具有粗糙化表面，

上绝缘层覆盖粗糙化表面，并且具有沿粗糙化表面形成的凹凸表面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，半导体堆叠具有平坦表面，第一电极焊盘和电极延伸体位于平坦表面上。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，电极延伸体接触半导体堆叠的平坦表面。

11.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

支撑基底；

半导体堆叠，位于支撑基底上方，并且包括p型化合物半导体层、活性层和n型化合物半导体层；

反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；

第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；

电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；

上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间，

其中，n型化合物半导体层包括n型接触层和第一恢复层，第一恢复层位于n型接触层和活性层之间以接触n型接触层，

第一恢复层是掺杂浓度低于n型接触层的掺杂浓度的未掺杂层或低掺杂层，

n型接触层具有范围为4.5μm至10μm的厚度。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，第一恢复层具有范围为100nm至200nm的厚度。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，所述发光二极管还包括设置在第一恢复层和活性层之间的电子注入层。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：

第二恢复层，设置在第一恢复层和电子补充层之间；以及

电子补充层，设置在第一恢复层和第二恢复层之间。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，所述发光二极管还包括设置在电子注入层和活性层之间的超晶格层。

16.根据权利要求11所述的发光二极管，所述发光二极管还包括中间绝缘层，中间绝缘层接触在反射金属层的凹槽中暴露的半导体堆叠的表面。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，所述发光二极管还包括阻挡金属层，阻挡金属层位于反射金属层和支撑基底之间以覆盖反射金属层。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中，反射金属层由多个板形成。