[发明专利]用于PMOS集成的IV族晶体管有效
| 申请号： | 201180062107.3 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103270597A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于形成IV族晶体管器件的技术，其具有含高浓度锗的源极/漏极区，且相对于常规器件展示了减小的寄生电阻。在一些示例性实施例中，源极/漏极区每一个都包括薄p型硅或锗或SiGe沉积，剩余源极/漏极材料沉积是p型锗或锗合金（例如锗:锡或其他适合的应变诱导物，具有至少80原子%的锗含量，和20原子%或更少的其他成分）。在一些情况下，可以在这个富锗帽层中观察到应变弛豫的证据，包括错配位错和/或穿透位错和/和双晶。可以使用多种晶体管结构，包括平面和非平面晶体管结构（例如，FinFET和纳米线晶体管），以及应变的和未应变的沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pmos 集成 iv 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：具有沟道区的衬底；位于所述沟道区上方的栅极电极；以及形成于所述衬底上或中且与所述沟道区相邻的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的每一个都具有总厚度，该总厚度包括硅或锗或硅锗的p型衬里和具有超过80原子%的锗浓度的p型帽层，其中，所述衬里小于所述总厚度的50%。
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