[发明专利]具有双功函数电极的非易失性存储元件有效
| 申请号： | 201180060565.3 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103392231A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | W·M·哈菲兹;A·拉赫曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性存储元件及形成所述存储元件的方法。该非易失性存储元件包括：第一电极，其包括具有第一功函数的第一材料；第二电极，其包括具有第二功函数的第二材料，所述第二功函数高于所述第一功函数；第一电介质，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电介质具有第一带隙；第二电介质，其设置在所述第一电介质和所述第二电极之间，所述第二电介质具有比所述第一带隙宽的第二带隙并且被设置成使得在所述第一电介质中生成量子阱；以及第三电介质，其设置在所述第一电极和所述第一电介质之间，所述第三电介质比所述第二电介质薄并且具有比所述第一带隙宽的第三带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 函数 电极 非易失性 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，包括：第一电极，其包括具有第一功函数的第一材料；第二电极，其包括具有第二功函数的第二材料，所述第二功函数高于所述第一功函数；第一电介质，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电介质具有第一带隙；第二电介质，其设置在所述第一电介质和所述第二电极之间，所述第二电介质具有比所述第一带隙宽的第二带隙并且被设置成使得在所述第一电介质中生成量子阱；以及第三电介质，其设置在所述第一电极和所述第一电介质之间，所述第三电介质比所述第二电介质薄并且具有比所述第一带隙宽的第三带隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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