[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180059464.4 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103262248A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 香川泰宏;古川彰彦;日野史郎;渡边宽;今泉昌之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李渤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够防止在关断时流入栅电极的沟槽底部的保护扩散层的位移电流所引起的栅绝缘膜的破坏，同时使单元间距变窄而提高电流密度的沟槽栅型的半导体装置。该半导体装置具备埋入到贯通基区3的沟槽5的栅电极7。栅电极7在俯视时配设为格子状，在其底部的漂移层2a形成保护扩散层13。由栅电极7划分的至少一个区段是在整体形成了沟槽5的保护触点区域20。在保护触点区域20，配设连接沟槽5的底部的保护扩散层13和源电极9的保护触点21。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体层；第2导电类型的基区，形成于所述半导体层的上部；栅电极，以贯通所述基区的方式埋入所述半导体层而形成，配设为俯视时的格子状；栅绝缘膜，形成于所述栅电极的侧面以及底面；第1导电类型的源区，形成为在所述基区的上部隔着所述栅绝缘膜而与所述栅电极相接；源电极，与所述源区以及所述基区的上表面连接；开口部，形成为在由所述栅电极划分的多个区段中的至少一个区段中贯通所述基区；第2导电类型的保护扩散层，在所述半导体层中遍及隔着所述栅绝缘膜的所述栅电极的底部以及所述开口部的底部而形成；保护触点，通过所述开口部连接所述保护扩散层和所述源电极；以及层间绝缘膜，介于所述保护触点与所述栅电极之间。
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