[发明专利]垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201180056470.4 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103229300A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 罗恩·S·布雷思韦特;兰迪·L·亚克 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET包括：具有第一传导类型的衬底(115)，其形成漏极区；在所述衬底上的具有所述第一传导类型的外延层(110)；在所述外延层内的具有所述第二传导类型的第一基极区(120)及第二基极区(125)，所述基极区间隔开预定义距离；具有第一传导类型的第一源极区及第二源极区(130)，其分别布置于所述第一基极区及所述第二基极区中，其中所述第一基极区及所述第二基极区可操作以在所述源极区与所述外延层之间形成第一横向通道及第二横向通道；栅极结构(150)，其通过绝缘结构(140)而与所述外延层绝缘且布置于所述第一基极区与所述第二基极区之间的区上方，且其中所述栅极结构包括第一栅极区(152)及第二栅极区(154)，每一栅极区仅覆盖分别在所述第一基极区及所述第二基极区内的所述第一通道及所述第二通道。所述栅极结构可包括安置于所述绝缘结构的厚层(145)上且将所述第一栅极区域与所述第二栅极区互连的桥接区(156)。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有单元结构的垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET，其包括：具有第一传导类型的衬底，其形成漏极区；在所述衬底上的具有所述第一传导类型的外延层；在所述外延层内的具有第二传导类型的第一基极区及第二基极区，所述基极区间隔开预定义距离；具有第一传导类型的第一源极区及第二源极区，其分别布置于所述第一基极区及所述第二基极区中，其中所述第一基极区及所述第二基极区可操作以在所述源极区与所述外延层之间形成第一横向通道及第二横向通道；栅极结构，其通过绝缘层而与所述外延层绝缘且布置于所述第一基极区与所述第二基极区之间的区上方，且其中所述栅极结构包括第一栅极区及第二栅极区，每一栅极区仅覆盖分别在所述第一基极区及所述第二基极区内的所述第一通道及所述第二通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密克罗奇普技术公司，未经密克罗奇普技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180056470.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：天线装置
- 下一篇：用于红外应用的超广角透镜安排
- 同类专利
- 专利分类
