[发明专利]用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法无效
| 申请号： | 201180052336.7 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103370782A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 冯·柳;杰拉尔德·斯特林费洛;俊逸·朱 | 申请（专利权）人： | 犹他大学研究基金会 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;王莹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了掺杂半导体膜的方法。所述方法包括在促进掺杂有p-型掺杂剂的III-V半导体膜的形成的条件下，在掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下，生长III-V半导体膜外延。在所述方法的一些实施方式中，掺杂的III-V半导体膜的外延生长在第一氢分压下开始，所述第一氢分压在外延生长过程的过程中被升高至第二氢分压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 iii 半导体 中的 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂III‑V半导体膜的方法，所述方法包括：将p‑型掺杂剂提供至外延生长过程；将能够用作电子库的表面活性剂提供至外延生长过程；将氢提供至外延生长过程；和在促进p‑型掺杂的III‑V半导体膜的形成的条件下生长III‑V半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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