[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180051610.9 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103180959A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;田中康太郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其具备基板、及位于所述基板的主面上且包含第1导电型的漂移区域的第1碳化硅半导体层，其中，从所述基板的所述主面的法线方向看，该半导体元件包括：单位单元区域、及位于所述单位单元区域与所述半导体元件的端部之间的末端区域，所述末端区域在所述第1碳化硅半导体层具有被配置为与所述漂移区域相接的第2导电型的环区域，所述环区域包括：与所述第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域；及以比所述高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与所述第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域，所述高浓度环区域的侧面与所述漂移区域相接，从所述半导体基板的所述主面的法线方向看，所述高浓度环区域与所述低浓度环区域具有相同的轮廓。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180051610.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手动中药制丸机
- 下一篇：一株能促进木麻黄光合作用的叶点霉菌株
- 同类专利
- 专利分类
