[发明专利]应用牺牲材料在半导体结构中形成穿过晶片互连的方法及通过该方法形成的半导体结构

摘要

制造半导体结构的方法，包括在通路凹槽（112）之内设置牺牲材料（132），在半导体结构中形成穿过晶片互连的第一部分（174），以及用导电材料代替牺牲材料，从而形成穿过晶片互连的第二部分（212）。通过该方法形成半导体结构。例如，半导体结构可以包括在通路凹槽之内的牺牲材料，和对准所述通路凹槽的穿过晶片互连的第一部分。半导体结构包括由两个或更多个部分组成的穿过晶片互连，所述两个或更多个部分在各部分之间具有边界。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括：在延伸且部分地穿过半导体结构的至少一个通路凹槽之内设置牺牲材料；在所述半导体结构中形成至少一个穿过晶片互连的第一部分，并使所述至少一个穿过晶片互连的第一部分对准所述至少一个通路凹槽；以及用导电材料代替在所述至少一个通路凹槽之内的所述牺牲材料，并且形成与所述至少一个穿过晶片互连的第一部分电气接触的至少一个穿过晶片互连的第二部分。