[发明专利]CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180039730.7 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103119186A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 长谷川浩之;泽田俊之 | 申请（专利权）人： | 山阳特殊制钢株式会社 |
| 主分类号： | C22C27/06 | 分类号： | C22C27/06;B22F3/15;C22C1/04;C22C14/00;C23C14/34;G11B5/738;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供含有35～65原子％的Ti、剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的CrTi系合金或溅射靶材及它们的制造方法。该CrTi系合金或靶材具有0.50以下的、Cr2Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr2Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr2Ti)/I(Cr)]。根据本发明，可以减少CrTi系合金及溅射靶材中的化合物，此外还可以由此抑制溅射时的颗粒产生而提高溅射膜的产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | crti 合金 溅射 用靶材 垂直 记录 介质 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CrTi系合金，其是含有35～65原子％的Ti、且剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的CrTi系合金，其中，所述CrTi系合金具有0.50以下的、Cr2Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr2Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr2Ti)/I(Cr)]。
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