[发明专利]CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种CrTi系合金，其是含有35～65原子％的Ti、且剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的CrTi系合金，其中，

所述CrTi系合金具有0.50以下的、Cr₂Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr₂Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr₂Ti)/I(Cr)]。

2.根据权利要求1所述的CrTi系合金，其含35～65原子％的Ti、剩余部分仅由Cr及不可避免的杂质构成。

3.一种CrTi系溅射用靶材，其是含有35～65原子％的Ti、且剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的溅射靶材，其中，

所述溅射靶材具有0.50以下的、Cr₂Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr₂Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr₂Ti)/I(Cr)]。

4.根据权利要求3所述的CrTi系溅射用靶材，其含有35～65原子％的Ti、剩余部分仅由Cr及不可避免的杂质构成。

5.一种垂直磁记录介质，其具有通过使用了权利要求3或4所述的CrTi系溅射用靶材的溅射而形成的基底膜。

6.一种权利要求1～4中任一项所述的CrTi系合金或CrTi系溅射用靶材的制造方法，其包括：

准备带来所述合金的全部组成的原料粉末，

将该原料粉末在800～1100℃下热成形的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其还包括在所述热成形后将成形体从成形温度开始以144～36000℃/hr的冷却速度冷却的步骤。

8.一种权利要求5所述的垂直磁记录介质的制造方法，其包括：

准备带来所述基底膜的全部组成的原料粉末，

将该原料粉末在800～1100℃下热成形而制成CrTi系溅射靶材，

使用该CrTi系溅射靶材进行溅射而形成所述基底膜的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其还包括在所述热成形之后、所述溅射之前，将所述靶材从成形温度开始以144～36000℃/hr的冷却速度冷却的步骤。