[发明专利]CrTi系合金及溅射用靶材、垂直磁记录介质、以及它们的制造方法

说明书

关联申请的相互参照

本申请主张基于2010年8月17日申请的日本专利申请2010-182144号的优先权，通过参照将其全部的公开内容纳入本说明书中。

技术领域

本发明涉及为了通过溅射形成薄膜而使用的抑制了化合物的生成的CrTi系合金、及溅射用靶材以及它们的制造方法。另外，本发明涉及使用CrTi系合金及溅射用靶材而制造的垂直磁记录介质及其制造方法。

背景技术

一般来说，CrTi系靶子被用于垂直磁记录介质的基底膜中，通过将纯Cr粉末和纯Ti粉末加以热成形而获得。该CrTi系靶子大量含有脆的化合物相，在溅射时脆的化合物相会带来颗粒，颗粒附着于溅射膜而降低产品合格率。由此，需要减少CrTi靶子中的化合物。

作为用于减少如上所述的CrTi靶子中的化合物的对策，例如如日本特公昭64-2659号公报(专利文献1)中公开的内容所述，通过将熔液急冷而减少化合物。但是，CrTi系靶子存在无法用利用粉末冶金法制作的材料来制成熔液的问题。

另一方面，通常而言，粉末烧结体的情况是在熔点的80％左右的温度下进行成形。例如如作为CrTi系类似组成的材料的、日本特开2003-226963号公报(专利文献2)中公开的材料那样，利用热压机在1200℃以上的温度下进行了成形。另外，如日本特开2002-212607号公报(专利文献3)中公开的材料那样，利用镦锻法在1200℃的温度下进行了成形。但是，所述烧结温度越高，化合物就越处于增加的趋势。

上述专利文献2及3的成形温度都很高，因此大量存在靶子中的化合物，因此在溅射时产生很多颗粒，因而存在使溅射膜的产品合格率降低的问题。

专利文献

专利文献1：日本特公昭64-2659号公报

专利文献2：日本特开2003-226963号公报

专利文献3：日本特开2002-212607号公报

发明内容

本发明人等此次得到如下的见解，即，通过减少溅射靶中的化合物，从而可提供能够减少在溅射膜中产生的颗粒的CrTi系合金及溅射用靶材。

因而，本发明的目的在于，减少CrTi系合金及溅射靶材中的化合物，以及由此来抑制溅射时的颗粒产生，从而提高溅射膜的产品合格率。

根据本发明的一个方式，可提供一种CrTi系合金，其是含有35～65原子％的Ti、剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的CrTi系合金，

其中，上述CrTi系合金具有0.50以下的、Cr₂Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr₂Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr₂Ti)/I(Cr)]。

根据本发明的另一个方式，可提供一种CrTi系溅射用靶材，其是含有35～65原子％的Ti、剩余部分含有Cr及不可避免的杂质的溅射靶材，

其中，上述溅射靶材具有0.50以下的、Cr₂Ti(311)的X射线衍射强度[I(Cr₂Ti)]相对于Cr(110)的X射线衍射强度[I(Cr)]的强度比[I(Cr₂Ti)/I(Cr)]。

根据本发明的另一个方式，可提供一种垂直磁记录介质，其具有通过使用了上述CrTi系溅射用靶材的溅射而形成的基底膜。

根据本发明的另一个方式，可提供一种上述CrTi系合金或CrTi系溅射用靶材的制造方法，

包括：

准备带来上述合金的全部组成的原料粉末，

将该原料粉末在800～1100℃下热成形的步骤。

根据本发明的另一个方式，可提供一种上述垂直磁记录介质的制造方法，

包括：

准备带来上述基底膜的全部组成的原料粉末，

将该原料粉末在800～1100℃下热成形而形成CrTi系溅射靶材，

使用该CrTi系溅射靶材进行溅射而形成上述基底膜的步骤。

具体实施方式