[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180030012.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102947871A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的TFT基板(100A)包括：在基板上形成的薄膜晶体管、栅极配线(3a)和源极配线(13as)；和将薄膜晶体管和外部配线电连接的第一端子和第二端子(40a、40b)。第一端子包括第一栅极端子部(41a)和第一像素电极配线(29a)。第一像素电极配线在设置于绝缘膜(5)的第一开口部(27c)内与第一栅极端子部接触，且覆盖第一开口部中的绝缘膜的端面。第二端子包括第二栅极端子部(41b)和第二像素电极配线(29b)。第二像素电极配线在设置于绝缘膜的第二开口部(27d)内与第二栅极端子部接触，且覆盖第二开口部中的绝缘膜的端面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的薄膜晶体管；具有第一连接部的栅极配线；具有第二连接部的源极配线；和将所述薄膜晶体管和外部配线电连接的第一端子和第二端子，所述薄膜晶体管包括：在所述栅极配线上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的、具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域的岛状的氧化物半导体层；与所述源极区域电连接的所述源极配线；和与所述漏极区域电连接的漏极电极，所述半导体装置还包括：在所述源极配线和漏极电极上设置且覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；和在所述保护膜上形成且以与所述漏极电极接触的方式形成的像素电极，所述第一端子包括：由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一栅极端子部；和在所述绝缘膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第一像素电极配线，所述第一像素电极配线在设置于所述绝缘膜的第一开口部内与所述第一栅极端子部接触，并且覆盖所述第一开口部中的所述绝缘膜的端面，而且与所述第一连接部电连接，所述第二端子包括：由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第二栅极端子部；和在所述绝缘膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第二像素电极配线，所述第二像素电极配线在设置于所述绝缘膜的第二开口部内与所述第二栅极端子部接触，并且覆盖所述第二开口部中的所述绝缘膜的端面，而且与所述第二连接部电连接。
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