[发明专利]用于抛光大体积硅的组合物及方法有效
| 申请号： | 201180029365.1 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102939643A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | B.赖斯;M.怀特;L.琼斯;J.克拉克 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了包含以下的抛光组合物：(a)二氧化硅、(b)一种或多种提高硅移除速率的化合物、(c)一种或多种四烷基铵盐、和(d)水，其中，该抛光组合物具有7至11的pH值。本发明进一步提供了用该抛光组合物抛光基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 体积 组合 方法 | ||
【主权项】：
用于抛光硅晶片的边缘的方法，其中该边缘基本上由硅组成，该方法包括：(i)使基板与抛光垫及基本上由以下组成的化学机械抛光组合物接触：(a)0.5重量%至20重量%的湿法二氧化硅，(b)0.01重量%至5重量%的有机羧酸，(c)0.0005重量%至2重量%的氨基膦酸，(d)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐，(e)氢氧化钾，(f)任选的碳酸氢盐，及(g)水，其中该抛光组合物具有7至11的pH值，(ii)使该抛光垫相对于该硅晶片的边缘移动，其中该化学机械抛光组合物位于其间，及(iii)磨除该边缘的至少一部分以抛光该硅晶片的所述边缘。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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