[发明专利]用于抛光大体积硅的组合物及方法

权利要求书

1.用于抛光硅晶片的边缘的方法，其中该边缘基本上由硅组成，该方法包括：

(i)使基板与抛光垫及基本上由以下组成的化学机械抛光组合物接触：

(a)0.5重量%至20重量%的湿法二氧化硅，

(b)0.01重量%至5重量%的有机羧酸，

(c)0.0005重量%至2重量%的氨基膦酸，

(d)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐，

(e)氢氧化钾，

(f)任选的碳酸氢盐，及

(g)水，

其中该抛光组合物具有7至11的pH值，

(ii)使该抛光垫相对于该硅晶片的边缘移动，其中该化学机械抛光组合物位于其间，及

(iii)磨除该边缘的至少一部分以抛光该硅晶片的所述边缘。

2.权利要求1的方法，其中该抛光组合物含有0.02重量%至5重量%的有机羧酸、0.02重量%至2重量%的氨基膦酸、及0.1重量%至5重量%的四烷基铵盐。

3.权利要求2的方法，其中该抛光组合物含有5重量%至20重量%的湿法二氧化硅。

4.权利要求3的方法，其中该抛光组合物含有10重量%至15重量%的湿法二氧化硅。

5.权利要求2的方法，其中该湿法二氧化硅具有4nm至180nm的平均粒径。

6.权利要求5的方法，其中该湿法二氧化硅具有20nm至50nm的平均粒径。

7.权利要求2的方法，其中该抛光组合物含有0.1重量%至2重量%的所述有机羧酸。

8.权利要求7的方法，其中该有机羧酸为羟基羧酸。

9.权利要求8的方法，其中该有机羧酸选自乳酸、草酸、2-羟基丁酸、二苯基乙醇酸、以及它们的组合。

10.权利要求2的方法，其中该抛光组合物含有0.1重量%至1重量%的所述氨基膦酸。

11.权利要求10的方法，其中该氨基膦酸选自乙二胺四(亚甲基膦酸)、氨基三(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、以及它们的组合。

12.权利要求11的方法，其中该氨基膦酸为氨基三(亚甲基膦酸)。

13.权利要求2的方法，其中该抛光组合物含有碳酸氢盐，且该碳酸氢盐为碳酸氢钾。

14.权利要求2的方法，其中该抛光组合物具有8至10的pH值。

15.权利要求1的方法，其中该抛光组合物基本上由以下组成：

(a)0.5重量%至20重量%的湿法二氧化硅，

(b)0.01重量%至5重量%的选自乳酸、草酸、2-羟基丁酸、二苯基乙醇酸以及它们的组合的有机羧酸，

(c)0.0005重量%至2重量%的选自乙二胺四(亚甲基膦酸)、氨基三(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)以及它们的组合的氨基膦酸，

(d)0.01重量%至5重量%的氢氧化四烷基铵，

(e)0.05重量%至2重量%的氢氧化钾，

(f)0.05重量%至5重量%的碳酸氢钾，及

(g)水。

16.用于抛光晶片的边缘的方法，其中所述边缘具有基本上由硅和氧化硅组成的表面，该方法包括：

(i)使基板与抛光垫及基本上由以下组成的化学机械抛光组合物接触：

(a)0.5重量%至20重量%的二氧化硅，

(b)0.01重量%至5重量%的有机羧酸，

(c)0.0005重量%至1重量%的氨基膦酸，

(d)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐，

(e)任选的碳酸氢盐，

(f)任选的氢氧化钾，及

(g)水，

其中该抛光组合物具有7至11的pH值，

(ii)使该抛光垫相对于该晶片的边缘移动，其中该化学机械抛光组合物位于其间，及

(iii)磨除该边缘的至少一部分以抛光该晶片的所述边缘。

17.权利要求16的方法，其中该抛光组合物含有0.02重量%至5重量%的有机羧酸、0.02重量%至2重量%的氨基膦酸、及0.1重量%至5重量%的四烷基铵盐。