[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 201180020586.2 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102918663A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 大鹿嘉和;松浦哲也 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体元件，作为有效地使用缓冲区以将改进的结晶性和平坦性赋予功能层压体的结果，所述半导体元件具有改进的功能层压体的平坦性和结晶性。还提供一种半导体元件的生产方法。所述半导体元件通过在基板上形成缓冲区和包括多层氮化物半导体层的功能层压体而获得。所述功能层压体在缓冲区侧具有n型或i型第一AlxGa1-xN层(0≤x<1)。含有p型杂质的AlzGa1-zN调整层(x-0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)设置在所述缓冲区和所述功能层压体之间，所述含有p型杂质的AlzGa1-zN调整层中Al组成几乎等于所述第一AlxGa1-xN层的Al组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括基板上的缓冲区和功能层压体，所述功能层压体包含多层氮化物半导体层，其中所述功能层压体包括在所述缓冲区侧上的第一n型或i型AlxGa1‑xN层(0≤x<1)，和在所述缓冲区和所述功能层压体之间设置含有p型杂质的AlzGa1‑zN调整层，所述含有p型杂质的AlzGa1‑zN调整层具有约等于所述第一AlxGa1‑xN层(x‑0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)的Al组成。
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