[发明专利]半导体器件及其生产方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括基板上的缓冲区和功能层压体，所述功能层压体包含多层氮化物半导体层，

其中所述功能层压体包括在所述缓冲区侧上的第一n型或i型Al_xGa_1-xN层(0≤x<1)，和

在所述缓冲区和所述功能层压体之间设置含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层，所述含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层具有约等于所述第一Al_xGa_1-xN层(x-0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)的Al组成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板是AlN模板基板。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述缓冲区包括至少在所述功能层压体侧上的Al_αGa_1-αN层(0≤α≤1)，并且所述Al_αGa_1-αN层的Al组成α和所述第一Al_xGa_1-xN层的Al组成x之间的差为0.1以上。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其中

所述第一Al_xGa_1-xN层为n型，和

所述功能层压体在所述第一Al_xGa_1-xN层上依次至少包括发光层和第二Al_yGa_1-yN层(0≤y<1)。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其中在所述含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层和所述第一Al_xGa_1-xN层之间进一步设置未掺杂有杂质的i型Al_wGa_1-wN层(x-0.05≤w≤x+0.05,0≤w<1)。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层和所述未掺杂有杂质的i型Al_wGa_1-wN层满足z<w的关系。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体器件，其中所述含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层的厚度在100nm至1500nm的范围中。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其中所述含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层掺杂有Mg，和Mg浓度在5×10¹⁶/cm³至2×10²⁰/cm³的范围中。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其中所述第一Al_xGa_1-xN层中含有的O浓度小于2×10¹⁸/cm³。

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体器件，其中所述缓冲区包括具有通过交替堆叠Al_βGa_1-βN层(0≤β≤0.3)和AlN层而形成的超晶格结构的超晶格应变缓冲层。

11.一种半导体器件的生产方法，其中缓冲区、含有p型杂质的Al_zGa_1-zN调整层(x-0.05≤z≤x+0.05,0≤z<1)和包括i型或n型Al_xGa_1-xN层(0≤x<1)的功能层压体按顺序形成于基板上。