[发明专利]光半导体装置用引线框架、光半导体装置用引线框架的制造方法以及光半导体装置有效

专利信息
申请号: 201180019412.4 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN102844897A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 小林良聪;松田晃;铃木智;菊池伸;橘昭赖;座间悟 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;朱丽娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种光半导体装置用引线框架,在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层,上述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。
搜索关键词: 半导体 装置 引线 框架 制造 方法 以及
【主权项】:
一种光半导体装置用引线框架,其在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层,其特征在于,所述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。
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