[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180012963.8 | 申请日： | 2011-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102792466A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 滨口安崇;井上芳树;坂本贵彦 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件在半导体层上具有焊盘电极，且至少半导体层被保护膜覆盖。在焊盘电极的上面周边部具有至少一个与保护膜分离开的阻挡部件。阻挡部件呈半弧状并被配置为弦侧与焊盘电极的中央侧面对。由此，在测量半导体发光元件的电特性/光学特性之际，即便探针在焊盘电极上滑动，也可以利用半弧状的凹面来引导探针，利用阻挡部件可靠地进行堵截，可以回避探针抵达保护膜的事态。再有，优选在正负电极上分别设置焊盘电极，一对阻挡部件设置在互相接近的位置上。因此，可以改善半导体发光元件的外观成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其在半导体层上具有焊盘电极且至少所述半导体层被保护膜覆盖，该半导体发光元件的特征在于，在所述焊盘电极的上表面周边部具有至少一个与所述保护膜分离开的阻挡部件。
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