[发明专利]用于形成集成半导体结构的方法和结构

摘要

本发明提供了用于制造半导体结构的方法和结构，并且特别地提供了用于形成具有改进的平坦度以实现包括已处理半导体结构和多个键合半导体层的键合半导体结构的半导体结构。用于形成半导体结构的方法包括：在已处理半导体结构的非平坦表面上方形成介电层，对介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上的表面进行平坦化，以及将半导体结构附接到介电层的平坦化表面。半导体结构包括：覆盖在已处理半导体结构的非平坦表面上方的介电层，以及在介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上覆盖介电层的掩蔽层。掩蔽层包括：位于已处理半导体结构的非平坦表面的导电区上方的多个掩蔽开口。

主权项

一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：在已处理半导体结构的非平坦表面上方形成介电层，所述非平坦表面包括多个导电区和多个非导电区；在所述介电层上方形成掩蔽层，并且设置延伸穿过直接位于所述已处理半导体结构的所述非平坦表面的所述多个导电区中的至少一些导电区上方的所述掩蔽层的多个掩蔽开口；对所述介电层的与所述已处理半导体结构的所述非平坦表面相反的一侧上的表面进行平坦化以形成平坦化表面，其中，对所述介电层的表面进行平坦化的步骤包括：蚀刻通过延伸穿过所述掩蔽层的所述多个掩蔽开口暴露的所述介电层的区域，以及在蚀刻所述介电层的所述区域之后对所述介电层的所述表面进行抛光；以及将半导体结构附接到所述介电层的所述平坦化表面。