[实用新型]一种功率晶体管芯片保护结构有效

专利信息
申请号: 201120289180.1 申请日: 2011-08-10
公开(公告)号: CN202159656U 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 高潮 申请(专利权)人: 扬州江新电子有限公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/31
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 董旭东
地址: 225004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了晶体管领域内的一种功率晶体管芯片保护结构,包括设置在塑封体内的安装框架,安装框架上粘接晶体管芯片的位置设置有一凹槽,凹槽的中心处设置有晶体管芯片,凹槽内晶体管芯片的外周分布有将晶体管芯片固定在凹槽内的焊料,晶体管芯片与安装框架之间还通过焊丝相连接。本实用新型通过在安装框架上开设的凹槽内固定晶体管芯片,增加了晶体管芯片与安装框架之间的缓冲层,减少了材料之间的应力,避免晶体管芯片断裂现象的发生,从而提高了晶体管芯片工作的稳定性。本实用新型可用于功率晶体管中。
搜索关键词: 一种 功率 晶体管 芯片 保护 结构
【主权项】:
一种功率晶体管芯片保护结构,包括设置在塑封体内的安装框架,其特征在于,所述安装框架上粘接晶体管芯片的位置设置有一凹槽,凹槽的中心处设置有晶体管芯片,所述凹槽内晶体管芯片的外周分布有将晶体管芯片固定在凹槽内的焊料,所述晶体管芯片与安装框架之间还通过焊丝相连接。
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