[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201120282649.9 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN202662593U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 小山正晃;望月英司;小林孝;小林英登 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，能够有效地制造多种高品质的半导体器件。半导体器件(1)具有散热部件(10)；包含形成在散热部件(10)上的电路图案(21)和包含树脂的绝缘层(22)的布线层(20)；包含安装在布线层(20)上的电子元件和对其进行封装的封装树脂的半导体元件(30、40)。不需要半导体元件(30、40)安装后的封装工序。此外，通过变更形成的电路图案(21)和所使用的半导体元件(30、40)，能够有效地获得各种功能的半导体器件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：散热部件；形成于所述散热部件的一个主面上、包括导体层和绝缘层的布线层；与所述导体层连接的外部导出端子；和以树脂密封半导体芯片而形成的半导体元件，其中，在从所述绝缘层露出的导体层安装有多个所述半导体元件。
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