[实用新型]一种沉积二氧化硅薄膜的装置有效
| 申请号： | 201120168385.4 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN202081165U | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘根;徐家俊;黄辛庭;秦正健;宋定峰;冯超林;叶双飞;王传鹏 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本实用新型沉积二氧化硅薄膜的装置包括：炉管1、闸阀2和过滤器3；其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 二氧化硅 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种沉积二氧化硅薄膜的装置，其特征在于，该装置包括：炉管(1)、闸阀(2)和过滤器(3)；其中，所述闸阀(2)处于所述炉管(1)和所述过滤器(3)之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
