[实用新型]新型功率半导体集成器件

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件，公开了一种适用于电力电子集成电路技术领域的功率半导体集成器件。它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。

主权项

新型功率半导体集成器件，包括半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片上集成有左右相连的结型场效应晶体管JFET和结势垒肖特基JBS，半导体芯片的下部分由下至上依次设有漏极、N+衬底和N‑外延层；所述结型场效应晶体管JFET包括P+区和N+区，P+区的上部与栅极相连，N+区的上部与源极相连；所述结势垒肖特基JBS包括P+区，P+区上部为阳极，阳极与源极相连。