[发明专利]金属氧化物半导体图像传感器有效
| 申请号： | 201110457475.X | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102523393A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 孙涛;汪辉;陈杰;方娜;田犁 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及图像传感器领域，公开了一种金属氧化物半导体图像传感器。本发明中，通过金属氧化物半导体图像传感器结构实现了双模读取的功能，可以有效地扩展图像传感器的动态范围，并且电路结构和逻辑控制都比较简单。通过相关双采样，能够有效地降低噪声，大大提高读出信号的S/N比。在环境光线比较强的情况下，使用PPS模式进行读取，不经放大将电荷直接读取出来，可以防止因光线太强而导致C-APS饱和的情形；在环境光线比较弱的情况下，使用C-APS模式进行读取，通过不同的偏置实现可变增益读取，从而大大扩展了金属氧化物半导体图像传感器的动态范围。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，包括：感光器件、第一金属氧化物半导体MOS管、第二MOS管、第三MOS管和积分电路；感光器件的一端接地，另一端与第二MOS管的栅极连接，用于将光信号转换成电信号；第一MOS管的栅极与第一控制信号连接，源漏极中的一极与第二MOS管的栅极连接，另一极与积分电路的输入端连接；第二MOS管源漏极中的一极与偏置电压连接，另一极与积分电路的输入端连接；第三MOS管的栅极与第二控制信号连接，源漏极中的一极与电源连接，另一极与第二MOS管的栅极连接；积分电路用于将输入的电荷或者电流转换为电压信号输出。
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