[发明专利]半导体存储器件及其测试电路和测试操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，包括：多个存储体，所述多个存储体每个都包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元；第一输入/输出单元，被配置成在所述第一存储器单元与多个第一数据焊盘之间传送第一数据；第二输入/输出单元，被配置成在所述第二存储器单元与多个第二数据焊盘之间传送第二数据；路径选择单元，被配置成在测试模式期间，将经由所述第一数据焊盘输入的所述第一数据传送至所述第一存储器单元和所述第二存储器单元；以及测试模式控制单元，被配置成在所述测试模式期间，将所述所述第一存储器单元的第一数据与所述第二存储器单元的第一数据进行比较，以基于比较结果来控制所述第一数据焊盘中的至少一个以表示故障状态。

主权项

一种半导体存储器件，包括：多个存储体，所述多个存储体每个都包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元；第一输入/输出单元，所述第一输入/输出单元被配置成在所述第一存储器单元与多个第一数据焊盘之间传送第一数据；第二输入/输出单元，所述第二输入/输出单元被配置成在所述第二存储器单元与多个第二数据焊盘之间传送第二数据；路径选择单元，所述路径选择单元被配置成在测试模式期间，将经由所述第一数据焊盘输入的所述第一数据传送至所述第一存储器单元和所述第二存储器单元；以及测试模式控制单元，所述测试模式控制单元被配置成在所述测试模式期间，将所述所述第一存储器单元的第一数据与所述第二存储器单元的第一数据进行比较，以基于比较结果来控制所述第一数据焊盘中的至少一个以表示故障状态，其中，所述测试模式控制单元在读取操作期间将所述第一数据焊盘中的所述一个控制为高阻状态。