[发明专利]半导体工艺监测方法和半导体工艺监测装置有效
| 申请号： | 201110453589.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187332A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺监测方法和半导体工艺监测装置。该方法包括：通过数据采集系统收集半导体工艺过程的工艺数据；在设定时间内向所述数据采集系统发送备份监测请求数据；若查询出指定时间内未接收到所述数据采集系统返回的监测应答数据，则生成数据采集系统停止运行的提示信息，提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据。本发明中当查询出指定时间内未接收到数据采集系统返回的监测应答数据后生成提示数据采集系统的停止运行的提示信息，提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据，从而有效避免了工艺过程中的工艺数据未被采集的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 监测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺监测方法，其特征在于，包括下列步骤：通过数据采集系统收集半导体工艺过程的工艺数据；在设定时间内向所述数据采集系统发送备份监测请求数据；若查询出指定时间内未接收到所述数据采集系统返回的监测应答数据，则生成数据采集系统停止运行的提示信息，提示用户选择备份监测系统继续收集工艺数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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