[发明专利]LC-VCO芯片及其版图布局方法在审

专利信息
申请号: 201110445564.2 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN103187926A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 许建超;史爱焕 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H03B5/08 分类号: H03B5/08;H03L7/099
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种LC-VCO芯片及其版图布局方法。其中,LC-VCO芯片的版图布局方法是,在所述LC-VCO芯片的垂直方向上,所述LC-VCO芯片具有多层结构,所述LC-VCO芯片中包括RC滤波器和电感线圈,将所述RC滤波器中的滤波电容置于所述电感线圈的下层。本发明所提出的LC-VCO芯片及其版图布局方法,将电容值较大的电容置于电感线圈的下面,能够在保持LC-VCO性能基本不变的前提下,实现了LC-VCO芯片面积的复用,从而极大的减小了LC-VCO的芯片面积。本发明所提出的LC-VCO芯片的版图布局方法,与将电容值较大的电容置于片外的方式比较,不仅节省了芯片引脚资源,集成度更高,而且节省了片外元件成本和PCB板的面积。
搜索关键词: lc vco 芯片 及其 版图 布局 方法
【主权项】:
一种LC‑VCO芯片的版图布局方法,在所述LC‑VCO芯片的垂直方向上,所述LC‑VCO芯片具有多层结构,所述LC‑VCO芯片中包括 RC滤波器和电感线圈,其特征在于,将所述RC滤波器中的滤波电容置于所述电感线圈的下层。
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  • 高海军;孙玲玲;刘军 - 杭州电子科技大学
  • 2012-03-29 - 2012-11-07 - H03B5/08
  • 本实用新型涉及一种采用垂直电感的压控振荡器电路。本实用新型中两个PMOS管的源极与电源电压连接,两个NMOS管源极接地;第一PMOS管漏极、第二PMOS管栅极、垂直电感一端、第一偏置电容一端、第一固定电容一端、第一NMOS管漏极、第二NMOS管栅极连接作为同相输出端;第二PMOS管漏极、第一PMOS管栅极、垂直电感另一端、第二偏置电容一端、第二固定电容一端、第二NMOS管漏极、第一NMOS管栅极连接作为反相输出端。垂直电感由各金属层上的金属线以及连接各层金属线的通孔构成。本实用新型采用垂直电感作为电容电感谐振型压控振荡器的电感,具有相位噪声低、面积小、与标准工艺兼容的优点。
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