[发明专利]压电单晶和其制备方法、以及利用该压电单晶的压电部件和介电部件

摘要

本发明公开了一种压电单晶及其制备方法、以及利用该压电单晶制备的压电和介电应用部件。采用本发明制备的压电单晶具有高介电常数K3T、高压电常数d33和k33、高相变温度(Tc和TRT)、高矫顽电场Ec、高机械性能，兼容了其优良性能的压电单晶可以在广泛的温度范围和广泛的使用电压条件下使用。另外，采用最适合单晶量产的固相单晶生长法制备压电单晶，开发不含高价原料的单晶组成、实现压电单晶商业化成为了可能。这样就可以在广泛的温度范围内制作、使用由具有优良性能的压电单晶制备的压电应用部件和介电应用部件了。

主权项

一种含锆的钙钛矿型压电单晶([A][B]O3)，其特征在于：其具有如下化学式8：[A][(MN)(1‑x‑y)TixZry]O3+cP在上述化学式中，A表示从Pb、Sr、Ba和Bi中的至少一种物质，M表示从Ce、Co、Fe、In、Mg、Mn、Ni、Sc和Yb中的至少一种物质，N则表示Nb、Sb、Ta和W中的一种物质，x和y需分别满足以下条件：0.05≤x≤0.58(摩尔比)；0.05≤y≤0.62(摩尔比)；P为包含至少一个选自由金属和氧化物组成的组中的强化第二相，且c满足以下条件：0.001≤c≤0.20(摩尔比)。