[发明专利]晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种晶体管及其制作方法，所述方法包括以下步骤提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积高K栅介质层、金属材料层、牺牲材料层；去除部分牺牲材料层及其正下方的金属材料层，在半导体衬底上形成包括牺牲材料层与金属材料层的堆叠结构，堆叠结构用于定义晶体管栅极所在区域；在形成有堆叠结构的半导体衬底上沉积侧墙材料层；去除堆叠结构及高K栅介质层上方的侧墙材料层，残留在堆叠结构两侧的侧墙材料层形成堆叠结构的侧墙，去除未被堆叠结构覆盖的高K栅介质层。形成的晶体管中高K栅介质层不会产生漏电流的问题，提高了晶体管的电流开关比、GIDL等性能，使晶体管栅极产生较少的电流泄露。

主权项

一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次沉积高K栅介质层、金属材料层、牺牲材料层；去除部分所述牺牲材料层及其正下方的金属材料层，在所述半导体衬底上形成包括牺牲材料层与金属材料层的堆叠结构，所述堆叠结构用于定义晶体管栅极所在区域；在形成有所述堆叠结构的半导体衬底上沉积侧墙材料层；去除所述堆叠结构顶部的侧墙材料层、高K栅介质层上方的侧墙材料层，残留在所述堆叠结构两侧的侧墙材料层形成所述堆叠结构的侧墙，去除未被所述堆叠结构和侧墙覆盖的高K栅介质层；去除未被所述堆叠结构覆盖的高K栅介质层之后，去除所述牺牲层材料层以形成开口，所述开口底部为所述堆叠结构中的金属材料层，所述开口底部下方还具有被所述金属材料层和侧墙覆盖的高K栅介质层；向所述开口内填充金属栅极材料层，所述金属栅极材料层和金属材料层用于构成晶体管栅极；填充所述金属栅极材料层之后，进行离子注入以形成晶体管的源极/漏极。