[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110436547.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102496570A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 郭进成;郑斌宏;洪正辉 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一半导体基板、一第二保护层、一第一晶种层、一第一导电金属、一第三保护层及数个导接元件。该半导体基板的第一保护层的第一开口显露其内的电性元件。该第二保护层的第二开口连通该第一保护层的第一开口。该第一晶种层位于这些第二开口及这些第一开口的侧壁。该第一导电金属位于该第一晶种层上。这些导接元件位于该第三保护层的第三开口，其对应部分该第一导电金属。藉此，可解决已知湿式蚀刻步骤的底切缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括：(a)提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面、一第二表面、至少一电性元件及一第一保护层，其中该第一保护层邻接于该第一表面，且具有数个第一开口以显露该至少一电性元件；(b)形成一第二保护层于该第一保护层上，其中该第二保护层具有数个第二开口，部分所述第二开口显露所述第一开口；(c)形成一第一晶种层于该第二保护层上，且位于所述第二开口及所述第一开口内；(d)形成一第一导电金属于该第一晶种层上，且位于所述第二开口及所述第一开口内；(e)移除位于该第二保护层上的第一晶种层及第一导电金属；(f)形成一第三保护层于该第二保护层上，其中该第三保护层具有数个第三开口，以显露部分该第一导电金属；及(g)形成数个导接元件于所述第三开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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